簡介：

鈰離子摻雜的釓鋁鎵石榴石晶體簡稱Ce:GAGG晶體，其化學式為Ce:Gd3Al2Ga3O12，該晶體具有密度高、透過率高、有效原子序數(shù)大、光產(chǎn)額高、衰減時間快、能量分辨率好、物化性能穩(wěn)定、無自輻射，無潮解，加工特性好等優(yōu)異的性能，其被認為是眾多氧化物閃爍晶體中最youxiu的晶體之一。

     Ce：GAGG晶體在540nm波段有較高的光輸出響應，使其與硅光電二極管能夠極好地匹配。該晶體可大尺寸生長，加工性能好，能夠加工最高128通道的陣列產(chǎn)品，最小像素支持0.3mm。

Ce：GAGG晶體良好的閃爍性能及物化特性，使其廣泛用于高能粒子探測、 核物理、 醫(yī)學成像、 安檢、 工業(yè)探測等領(lǐng)域。尤其是其快衰減特性及低余暉特性使得在PET影像系統(tǒng)，人體、工業(yè)、無損檢測、安檢及X-CT等其他成像應用領(lǐng)域得到極為廣泛的使用。

硅酸鎵鑭(La3Ga5SiO14,簡稱：LGS)晶體是一種綜合性能優(yōu)異的多功能晶體材料。相對于石英晶體，LGS晶體具有更高的機電耦合系數(shù)和壓電常數(shù)，是石英晶體的2-3倍；有比石英晶體更低的聲衰減；還具有零溫度系數(shù)切型；可用于制造聲表面波（SAW）和體聲波（BAW）器件；其在室溫至熔點溫度（1470℃）無相變，在大帶寬壓電器件和高溫傳感器領(lǐng)域具有極大的應用潛力；LGS晶體還具有較高的介電常數(shù)和彈性系數(shù)，也可用于制造電光Q開關(guān)器件。