全自動晶圓單面刷洗機有效去除硅片晶圓表面的有機物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。根據(jù)不同清洗工藝配置相應(yīng)的清洗單元，各部分有獨立控制，隨意組合。

全自動晶圓單面刷洗機結(jié)構(gòu)：

采用三套獨立的電腦控制機械臂自動化作業(yè)

采用第三代最新技術(shù)，全面完善的防酸防腐措施，保護到機器每一個角落

最新全自動補液技術(shù)

全自動晶圓單面刷洗機獨特的硅片干燥前處理技術(shù)，保證硅片干燥不留任何水痕

成熟的硅片干燥工藝，多種先進技術(shù)集于一身

彩色大屏幕人機界面操作，方便參數(shù)設(shè)置多工藝方式轉(zhuǎn)換

全自動晶圓單面刷洗機特點：

械手或多機械手組合，實現(xiàn)工位工藝要求。

PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。

自動上下料臺，準確上卸工件。

全自動晶圓單面刷洗機凈化烘干槽，獨特的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無水漬。

全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

具備拋動清洗功能，保證清洗均勻。

全封閉清洗均勻。

全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

全自動晶圓單面刷洗機應(yīng)用范圍：

爐前清洗：擴散前清洗。

全自動晶圓單面刷洗機光刻后清洗：除去光刻膠。

氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。

拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。

全自動晶圓單面刷洗機外延前清洗：除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。

合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質(zhì)及光膠殘渣。

離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。

擴散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時的BSG和PSG。

CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。

全自動晶圓單面刷洗機附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物